TLDR

美国第五代GaNFast生产取得进展。九月晶圆启动更广泛的样品计划。Navitas持续推进GaN和SiC的长期研发。

Navitas将于九月出货首批美国制造的第五代GaNFast晶圆

与GlobalFoundries的合作使Navitas的第五代GaNFast在美国实现量产。

Navitas通过九月首批第五代晶圆出货，扩大美国GaN供应。

第五代GaNFast的推出瞄准计算、工业和国防电源市场。

随着Navitas推进美国第五代GaNFast晶圆生产计划，NVTS股价下跌3.93%。

Navitas Semiconductor将于九月通过GlobalFoundries开始出货其首批美国制造的第五代GaNFast晶圆。这一里程碑事件标志着Navitas进一步深入国内功率半导体生产领域，产品将应用于数据中心、计算、工业系统和国防领域。NVTS股价报收11.14美元，下跌3.93%，盘中曾出现大幅下跌随后部分回升。

美国第五代GaNFast生产向前推进

Navitas开发了其第五代GaNFast平台，并将在GlobalFoundries位于佛蒙特州伯灵顿的200毫米硅基氮化镓工厂进行生产。该制造计划扩大了用于高效电力系统的先进氮化镓功率器件的国内产能。同时，这也为Navitas未来几代GaNFast产品提供了美国本土的生产基地。

双方于2025年11月建立了长期战略合作伙伴关系，以加速国内GaN的开发和制造。此后，Navitas针对GlobalFoundries的制造平台调整了其器件设计和工艺技术。此次合作将Navitas的功率半导体设计与GlobalFoundries成熟的高产能制造能力相结合。

首批产品系列将包括多款650伏GaN FET，涵盖多种导通电阻规格，以满足不同的功率需求。Navitas预计首批产品将提供11、18、50、120和150毫欧的电阻选项。该系列产品针对需要在效率、开关性能、尺寸和热控制之间取得不同平衡的电源系统。

九月晶圆启动更广泛的样品计划

Navitas预计首批第五代晶圆将于九月从佛蒙特州的生产线下线。内部样品将于十月跟进，届时公司将进行测试和认证工作。计划在年底前向战略客户提供样品，以支持在目标市场进行更广泛的评估。

九月的出货标志着Navitas与GlobalFoundries制造合作伙伴关系下的首个生产步骤。这也标志着Navitas最新的GaNFast架构首次进入美国本土的商业代工厂。这一转变使公司从设计开发到美国本土晶圆生产的路径更加清晰。

Navitas为数据中心电源、高性能计算、工业电气化和国家安全系统设计了该平台。随着先进计算和工业设备对电力需求的增长，这些应用需要高效的电源转换。GaN器件能够在高频开关过程中减少能量损耗，同时支持更小的电源系统尺寸。

Navitas持续推进GaN和SiC的长期研发

Navitas自2014年起一直致力于氮化镓功率产品的开发，同时拥有碳化硅技术组合。该公司在GaN和SiC技术领域拥有超过300项已授权和正在申请的专利。其产品组合涵盖器件结构、工艺设计套件、集成电源电路、控制功能、传感和保护功能。

第五代项目将该技术基础扩展至专为200毫米硅基氮化镓晶圆设计的制造工艺。当制造良率和客户需求达到商业目标时，更大的晶圆尺寸可以支持更大的生产规模。随着Navitas扩大客户认证范围，GlobalFoundries提供的制造基础设施可以支持更高的产量。

美国本土的生产努力也为Navitas提供了另一个供应选项，以满足重视国内半导体采购的市场需求。这一点对于需要可靠组件供应和可追溯制造的计算、工业和国防项目至关重要。因此，九月的晶圆出货不仅是公司更广泛技术和供应链战略中的一个生产里程碑，也是其供应链战略的一部分。